1-3μm硼注入碲镉汞光伏器件的C-V禾G-V特性研究

【摘要】：利用自制的阻抗测量系统研究了碲镉汞光伏器件的Ｃ－Ｖ和Ｇ－Ｖ特性．实验结果表明：器件有着复杂的内在结构，可能是ｎｐｎ＋三层结构中的ｐｎ＋结起主导作用．此外，所有器件的Ｃ－Ｖ特性都表现出相似的反常特性，室温下这种效应比低温下更为明显． 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所
【关键词】： 碲镉汞 光伏探测器 硼注入 C－V特性
【分类号】：TN36
【正文快照】： １－３μｍ硼注入碲镉汞光伏器件的Ｃ－Ｖ禾Ｇ－Ｖ特性研究赵军，方家熊（中国科学院上海技术物理研究所，上海．２０００８３）摘要利用自制的阻抗测量系统研究了碲镉汞光伏器件的Ｃ－Ｖ和Ｇ－Ｖ特性．实验结果表明：器件有着复杂的内在结构，可能是ｎｐｎ＋三层结构中的ｐ

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