γ辐照室温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究

【摘要】：利用变频导纳谱研究了γ辐照前后Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０６）ｎ＋ｏｎｐ结中的深能级缺陷．辐照前其缺陷能级位置在价带上０１５ｅＶ，俘获截面σｐ＝２９×１０－１８ｃｍ２，缺陷密度Ｎｔ＝６５×１０１５ｃｍ－３，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷；经过１０４Ｇｙ的γ辐照后其能级变得更深，在价带上０１９ｅＶ，同时其俘获截面增加了近一个数量级，而缺陷密度基本上没有变化．γ辐照引入的这种能级变化最终使器件的性能（探测率）下降了１／２以上． 【作者单位】： 中国科学院传感技术国家重点实验室、上海技术物理研究所
【关键词】： 光伏器件 导纳谱 γ辐照室 俘获截面 HgCdTe 深能级缺陷 激活能 缺陷密度 缺陷能级 辐照前
【基金】：国防科技预研基金,国家自然科学基金
【分类号】：TN215
【正文快照】： １引言红外探测器抗辐照加固问题是目前航空、航天应用中亟待解决的重要问题．器件抗辐照性能的提高对于应付突然情况或恶劣环境如核爆炸条件下以及在光电对抗中仪器正常稳定工作也有着重要的实际意义，而且它还直接影响到仪器和器件的工作寿命问题．国外在７０和８０年代曾

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