首页 > 学术论文

碲镉汞光伏器件的电极界面参数

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:47:16
热度:

碲镉汞光伏器件的电极界面参数【摘要】:利用热场发射理论和数值计算方法 ,分析了碲镉汞光伏器件的电流 -电压特性 ,提取了金属 -半导体 (MS)界面参数 ,并对这些参数进行了讨论

【摘要】:利用热场发射理论和数值计算方法 ,分析了碲镉汞光伏器件的电流 -电压特性 ,提取了金属 -半导体 (MS)界面参数 ,并对这些参数进行了讨论 .结果表明 ,Sn/Au金属膜 -碲镉汞薄膜 PN器件的电极界面的势垒高度锁定在“Bardeen”限 ,界面密度比介质膜 -碲镉汞的大一个量级 【作者单位】: 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
【关键词】MS界面 电流-电压特性 碲镉汞光伏器件
【基金】:国家自然科学基金资助项目 (批准号 :1980 5 0 14 )~~
【分类号】:TN215
【正文快照】: 1 引言红外焦平面技术在民用和军事领域有着非常重要的应用[1] .碲镉汞这种三元系化合物在红外探测器制作中占据着举足轻重的地位 ,是制作红外探测器的最佳材料 [2 ] .碲镉汞红外焦平面器件仍是目前红外器件发展的一个方向 .碲镉汞红外焦平面器件以 PN结为探测单元 .与通常

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

用C-V法测试Cd在InSb中扩散层的杂质浓度及其分布    周冠山;

全硅集成光学──理论与工艺    赵策洲

756×581元CCD摄像器件    刘俊刚,李平

600×500元帧转移CCD摄像器件    刘俊刚,赵文伯,李平

GaN上的欧姆接触    施锦行

工作在液氮温度下的低频低噪声双极晶体管的研究    杨拥军,王长河,白淑华

Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的低压MOCVD生长与性质    刘伟,顾书林,叶建东,朱顺明,秦锋,周昕,刘松民,胡立群,张荣,施毅,郑有炓

激光器偏置电流自动控制(ABC)    卢武彬

半导体制冷和泵热循环机理的研究    许启明

霍尔效应测量中的系统误差及其处理    陈远闻,黄大雄

锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究    吴闽;黄钊洪;

双极高频、微波功率器件的研究    周蓉

非晶态、晶态ZnO量子结构组装及光学特性研究    王之建

Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应    郭子政

神经元MOS及其应用电路的研究    杨媛

ZnSe/GaAs/Ge高效太阳电池的研究    王爱坤

MOS环振式数字加速度传感器研究    张兆华

高性能GaAs光电阴极研究    杜晓晴

碳纳米管在介质溶液中电学性质及相关问题研究    吕建伟

锡阳极泥制取纯(NH_4)_2SnCl_6、Sb_4O_5Cl_2及纳米ATO的新工艺和理论研究    杨建广

热电制冷系统热力学优化分析及节能应用和开发    罗清海

碲锌镉核辐射探测器的电极研究    张冬敏

降低高阻硅探测器漏电流的方法研究    施志贵

基于SiGe/Si HBT的两级高频放大器的设计和研制    史辰

立方相氮化硼薄膜制备及掺杂特性研究    任卫

氧化物透明导电薄膜的溶胶—凝胶法制备    张兴旺

立方氮化硼薄膜的射频溅射制备和半导体特性研究    李茂登

高频功率SiGe异质结双极晶体管(HBTs)的研究与设计    牛赟

新型GaAs/AlGaAs量子阱中远红外探测器的研究与改进    刘松妍

热处理对非掺杂半绝缘LECGaAs本征缺陷及电特性影响的研究    刘力锋

NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件性能的影响    郭惠

Pt中杂质对Pt-Si界面电子态的影响    孙建军,张涛

碲镉汞光伏器件的电极界面参数    胡晓宁,李言谨,方家熊

MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响    胡晓宁,李言谨,方家熊

Baidu
map