中红外GaInAsSb PIN多结光伏探测器设计与数值模拟

【摘要】：从非平衡载流子的扩散 -复合理论出发 ,提出 PIN多结探测器材料结构 ,并建立了理论模型进行定量计算 ,从理论上解决了不能同时兼顾增大量子效率与光电增益和降低噪声的矛盾。利用该模型对 Ga In As Sb材料体系作了数值模拟 ,单结器件性能的计算值和实测值基本吻合 ,并根据多结器件模拟结果设计了工作于2 .4μm波段的 Ga In As Sb PIN多结材料结构 【作者单位】： 中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海冶金研究所 苏州大学物理系 苏州大学物理系
【关键词】： 镓铟砷锑 多结结构 数值模拟 探测器
【基金】：国家 8 63高技术研究基金 (课题编号 863 -715 -0 0 1-0 15 2 )资助项目
【分类号】：TN362
【正文快照】： 1　引　　言Gax In1-x Asy Sb1-y外延材料是 1 .7～ 4.3μm波段重要的光电子材料 ,2～ 3μm Gax In1-xAsy Sb1-y红外探测器、激光器等器件可在室温下工作 [1～ 9] ,在红外应用领域具有广阔的应用前景。一些文献[10～ 14 ] 报道了采用传统结构的 Ga In As Sb探测器 ,量子效率

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