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AZO-SiO_2-Si材料中二维侧向光伏效应的研究

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 01:33:38
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AZO-SiO_2-Si材料中二维侧向光伏效应的研究【摘要】:采用旋转涂覆法在被氧化的硅基底片上形成掺铝氧化锌(AZO)薄膜,再经过真空烘干后制成AZO-Si O2-Si金属氧化物

【摘要】:采用旋转涂覆法在被氧化的硅基底片上形成掺铝氧化锌(AZO)薄膜,再经过真空烘干后制成AZO-Si O2-Si金属氧化物-氧化物-半导体材料样品。使用波长785 nm、功率5 m W的激光在二维方向上扫描样品,绘制出侧向光伏与激光照射点的关系曲线图,研究其二维侧向光伏效应。激光沿一定轨迹扫描金属氧化物-氧化物-半导体结构样品后,利用Origin软件将测得的实验数据拟合成实验结果图。为了更深层次的研究AZO-Si O2-Si结构中的侧向光伏效应,根据电子跃迁、载流子扩散和能带结构理论,结合前人的研究成果建立物理模型。研究显示,作为一种新型的高精度传感器,样品电极点连线区间内测得的侧向光伏曲线灵敏度为90.35 m V·mm-1、线性相关系数为0.9987,因而AZO-Si O2-Si结构可以用作高精度位移传感器(PSD)。实验结果显示激光扫描线偏离电极连线时,线性相关系数和灵敏度都会减小。在垂直于电极连线方向上,虽然侧向光伏曲线没有良好的线性相关性和较高的灵敏度,却具有高度的对称性,AZO-Si O2-Si结构可以用作距离校准传感器(RCD)。 【作者单位】: 上海工程技术大学机械工程学院;上海工程技术大学基础教学学院;
【关键词】AZO-SiO-Si材料 高精度传感器 金属氧化物-氧化物-半导体结构 二维侧向光伏效应
【基金】:国家自然科学基金项目(11247311) 2011年上海高校青年教师培养资助计划项目(shgcs029)资助
【分类号】:TB383.2
【正文快照】: 1930年肖特基(Schottky)最先发现侧向光伏效应(lateral photovoltaic,LPV),然后由Wallmark于1957年在Ge的P-N结上进行了拓展研究,从而开启了侧向光伏效应研究的先河。从定义的角度讲,侧向光伏是指当点光源照射P-N结、半导体异质结或者金属半导体结时,利用结的同一表面上引出的

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