50-170 keV质子照射对GaAs/Ge太阳能电池光谱响应的影响

【摘要】：用固定能量(100 keV)不同注量(1×10~(11)-3×10~(12)cm~(-2))或固定注量(3×10~(12)cm~(-2))不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响。这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使品格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加。在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大。 【作者单位】： 哈尔滨工业大学 哈尔滨工业大学 中国电子科技集团公司第十八研究所 中国电子科技集团公司第十八研究所 哈尔滨工业大学 哈尔滨工业大学
【关键词】： GaAs/Ge太阳电池 质子辐射 光谱响应
【基金】：国家重点基础研究发展规划项目(G200551343)资助
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： GaAs半导体材料对太阳光谱的匹配性较好，太阳光谱的波长范围恰好落在其400一800 nm的最佳光域，故GaAS太阳能电池优于硅太阳能电池，在空间应用中，GaAS太阳能电池还具有更好的抗辐射性能。因此，近些年来人们更多地关注GaAs太阳能电池研究l‘一刀。本文所用的GaAs/Ge太阳能

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