中间带宽插入层对InGaN太阳能电池的影响

【摘要】：利用wxAMPS软件对吸收层In组分为0.2的非极性InGaN基P-I-N结构双异质结太阳能电池进行仿真,分别研究了在P-I结和I-N结处插入In0.1Ga0.9N做为中间带宽插入层对太阳能电池效率的影响。通过仿真发现,随着P-I结处插入层厚度增加,太阳能电池效率先增加后减少,而随着I-N结处插入层厚度增加,太阳能电池效率递增,但厚度超过10 nm时,增加速率迅速减小。最后再利用仿真所得的最优数据设计出同时使用两种插入层的新结构电池,共15 nm的中间带宽插入层将电池效率从10.7%提高至11.2%。 【作者单位】： 西安电子科技大学技术物理学院;
【关键词】： InGaN 双异质结 太阳能电池 插入层
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 基于InxGa(1-x)N的太阳能电池近年来引起了人们的广泛关注。InGaN能被选作太阳能电池的一个重要候选材料,是因为它具有很多优秀的特性,例如:属于直接带隙材料,因此具有较高的吸收系数,约105cm-1;合金禁带宽度变化范围很宽,0.7 eV(InN)～3.4 eV(GaN),对应于太阳光谱中从近红外

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