第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究【摘要】:研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太
【关键词】: 氢化非晶硅 PECVD 钝化 太阳能级n型硅片
【分类号】:TM914.4;TN304
【正文快照】: 一引言异质结氢化非晶硅/晶硅太阳电池的关键技术之一是在氢化非晶硅/晶硅异质结界面内插入一层高质量的本征氢化非晶硅薄膜(i-a-Si:H),以减少硅片表面复合速率和界面态密度,提高太阳电池的转换效率。掺杂非晶硅薄膜的隙态密度高达1018cm3,与晶体硅片形成界面的悬挂键和缺陷
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