用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究

【摘要】：采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响。通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10-4Ω·cm,可见光波段(400~800 nm)平均透过率为82.3%的ITO薄膜。将优化后的薄膜用于电池上,制出了转化效率为14.04%的HIT太阳能电池。 【作者单位】： 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所;河北汉盛光电科技有限公司;
【关键词】： ITO薄膜 衬底温度 溅射功率 HIT太阳能电池
【基金】：天津市自然科学基金(10JCYBJC03000)
【分类号】：O484.1
【正文快照】： 1引言氧化铟锡(ITO)薄膜是一种体心立方铁锰矿结构的n型半导体透明导电薄膜[1]。ITO薄膜以较低的电阻率(10-3~10-5Ω·cm)、较大的宽禁带宽度(3.5~4.3 eV)和成熟的制备工艺,成为透明导电膜研究领域的焦点,被广泛用于平面显示、电致变色(EC)窗、太阳能电池透明电极[2]和微波屏

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