质子轰击的锑化铟n-p结光伏探测器

【摘要】：本文介绍了用质子轰击产生 n-型层来制备锑化铟 n-P 结光伏探测器的方法。在77°K 时,直径为20密耳的二极管具有几十万欧姆的零偏压电阻。这些二极管在4.9微米时的典型峰值探测度在2π,300°K 背景条件下大于3×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦,所观察到的最大值是10~(11)厘米赫~(1/2)/瓦。已观察到接近35％的二极管量子效率。 【关键词】： 二极管 光伏探测器 质子轰击 载流子浓度 量子效率 探测度 偏压电阻 背景条件 锑化铟 峰值探测
【正文快照】： 的这种绝绿,在77OK时就可以对轰击层进行霍尔效应测量。这些测量表明轰击层是n-型,其薄层载流子浓度为1013/厘米.,电子迁移率为15000厘米2/伏秒。在厚约1橄米的轰击层中的平均载流子浓度为1017/厘米吕。 这种产生n一型层的轰击技术已用于制备作光伏探测器使用的n一p结二极管

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