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外延PbS光伏元件和光电导薄膜

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 03:51:33
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外延PbS光伏元件和光电导薄膜【摘要】:用外延生长技术已制备了单晶硫化铅光伏元件和光电导薄膜。光伏元件的光谱响应用在刚短于PbS禁带宽度的波长处的尖峰表示。光导薄膜用低于3×10~

【摘要】:用外延生长技术已制备了单晶硫化铅光伏元件和光电导薄膜。光伏元件的光谱响应用在刚短于PbS禁带宽度的波长处的尖峰表示。光导薄膜用低于3×10~(16)厘米~(-3)的载流子浓度生长,当冷却到77°K时显示出两个大的性质不同的信号。一个响应的特点是时间常数50毫秒,它属于氧感应表面俘获电子的光激发性质。第二个响应的时间常数是32微秒,它属于硫化铅的本征光电导性。 【关键词】硫化铅 时间常数 载流子浓度 光电导薄膜 元件 禁带宽度 光伏 光电导性 光谱响应度 灵敏度
【正文快照】: 用多晶硫化铅薄膜作红外探测器巳有多年“,。尽管它们巳获广泛应用,但对这些材料中的光灵敏度机理仍未清楚地了解。此外,它们在探测器面积上的灵敏度有不均匀的倾向〔2〕。已多次打算从硫化铅大块晶体上制备红外探Nl]器,但以前在这类晶体上没有观察到一点灵敏度。硫化铅单晶

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