CuO薄膜的制备及其光伏特性

【摘要】：通过反应磁控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型CuO薄膜.使用X射线衍射仪和紫外-可见光-近红外光度计研究了p型CuO薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8nm和1.36eV.通过研究其电压-电流关系确定了在p型CuO薄膜和n型硅衬底之间形成了p-n结.在AM 1.5光照条件下p-CuO/n-Si电池的开路电压为0.33V,短路电流密度为6.27mA/cm2,填充因数和能量转化效率分别为0.2和0.41%. 【作者单位】： 陕西师范大学物理学与信息技术学院;武警工程大学基础部;航天第十六研究所;
【关键词】： CuO薄膜 磁控溅射 p-n结 光伏特性
【基金】：香港何崇本新能源基金 国家自然科学基金(No.61040057) 中央高校基础研究基金(No.GK000902052)资助
【分类号】：O484.4
【正文快照】： 0引言铜有两种主要的氧化相,分别是氧化铜CuO和氧化亚铜Cu2O,它们是天然的p型半导体材料,带隙分别为1.2-1.9eV和1.8-2.5eV[1-2].由于铜的氧化物具有光学和电学特性良好、地球上含量丰富、无毒及成本较低等优点,它们是具有很大应用潜力的光伏材料[3-5].在AM 1光照条件下,基于

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