多晶硅片微晶区域对太阳能电池性能的影响

【摘要】：本文研究了多晶硅片微晶区域对硅片少子寿命和电池性能的影响。作为晶界、位错和杂质三者聚集的微晶区域,是少数载流子的强复合中心,会严重影响硅片的少子寿命。微晶区域,尤其是晶界处,导电型SiC的生成会造成电池的严重漏电甚至PN结短路,严重影响电池性能。 【作者单位】：尚德电力控股有限公司
【关键词】：微晶 多晶硅 太阳能电池
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1.引言2(X)3年多晶硅太阳电池的市场份额已达56.3%，远远超过单晶硅太阳电池的市场份额[l]，已成为光伏市场的主要产品。然而，与直拉单晶硅相比，多晶硅中存在着高密度的缺陷和杂质，如晶界、位错、氧碳和金属等[2]。虽然一般认为洁净的位错和晶界对材料的电学性能没有很大

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