浸锡工艺在单晶硅太阳能电池上的应用

【摘要】：地面用单晶硅太阳能电池正面用于互联的电极是由丝印银浆经烧结而成的,正面栅线的高度受丝网印刷和银浆限制,无法印到很高的状态。通过浸锡工艺,可以提高正面栅线的高度。由于R=p L/S,高度增加的同时,面积也增加了,从而可以降低栅线电阻。目前全世界仅日本有公司能对晶体太阳能电池片进行浸锡工艺处理。我们经过一年多的时间对浸锡工艺进行了摸索,基本掌握了整个浸无铅锡过程。此工艺作为尚德公司的一个技术储备。 【作者单位】：尚德电力控股有限公司
【关键词】：浸锡 助焊剂 栅线电阻
【分类号】：TM914
【正文快照】： 引言地面用单晶硅太阳能电池的串联电阻Rs和并联电阻Rsh都会影响到品质因子FF川，从而影响电池的转换效率。串联电阻Rs是由制造电池的半导体材料体电阻、电极的栅线电阻和互嵘金属的电阻以及电池盒半导体材料之间的接触电阻组成。本文只针对降低栅线电阻进行讨论。由于R二pus

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