a-Si/c-Si异质结太阳能电池制造中的技术分析

【摘要】：应用数值模拟方法计算ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结和ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）结－异质结太阳能电池的电场强度分布，指出异质结电池制造中对ａ－Ｓｉ：Ｈ膜厚的选择，进而对嵌入本征ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）层的结－异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系
【关键词】： 异质结太阳能电池 a－Si：H隙态密度分布 载流子收集长度
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： ａ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池制造中的技术分析⒇林鸿生陈备（中国科学技术大学物理系）摘要应用数值模拟方法计算ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结和ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）结－异质结太阳能电池的电场强度分布，指出异质

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