a-Si:HSchotky 势垒结构太阳能电池中的载流子俘获效应a-Si:H太阳能电池稳定性研究

【摘要】：基于实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。计算结果与实验一致并且进一步指明，随着光辐照发生的载流子俘获造成的ａ－ＳｉＨ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生变化和准中性区（低场“死层”）的出现，从而导致载流子收集长度的减少。这是ａ－ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是，一种提高ａ－ＳｉＨ太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系
【关键词】： 载流子俘获效应 a－SiH太阳能光致性能衰退 Scharfetter－Gummel解法
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： ａ┐ＳｉＨＳｃｈｏｔｋｙ势垒结构太阳能电池中的载流子俘获效应ａ－ＳｉＨ太阳能电池稳定性研究林鸿生（中国科学技术大学物理系，合肥，２３００２６）摘要基于实验结果，应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ａ

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

a－Si：Hp－i－n型太阳能电池中的载流子俘获效应──a－Si：H太阳能电池稳定性研究    林鸿生

氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应──PIN型非晶硅太阳能电池稳定性研究    林鸿生