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a-Si/CuInSe_2叠层太阳能电池中的空间电荷效应

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 20:08:09
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a-Si/CuInSe_2叠层太阳能电池中的空间电荷效应【摘要】:基于pin结构的a Si:H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/CuInSe2 叠层太阳能电池的稳定性

【摘要】:基于pin结构的a Si:H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/CuInSe2 叠层太阳能电池的稳定性 .采用计算机数值模拟方法 ,得出由光生空穴俘获产生的a Si:H层中正空间电荷密度的增加 ,改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高了a Si:H薄膜中的电场强度 ;在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CuInSe2 叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,没有发生光诱导性能衰退 .分析结果显示a Si/CuInSe2 叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性 . 【作者单位】: 中国科学技术大学物理系!安徽合肥230026 中国科学技术大学物理系!安徽合肥230026 中国科学技术大学物理系!安徽合肥230026
【关键词】a-Si H光诱导性能衰退 空间电荷效应 a-Si H隙态密度分布
【分类号】:TM914.42
【正文快照】: 1 引言a Si:H太阳能电池问世开创了廉价、大面积、高效率太阳能电池制造与应用的新时代 .但很快就发现 ,在长期光的辐照下 ,a Si:H太阳能电池性能如能量转换效率等发生衰退 ,将影响其实际应用结果 .长期以来 ,人们为了制造高稳定性a Si:H太阳能电池进行了不懈的

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