a-Si/μc-Si叠层结构太阳能电池中的光诱导性能衰退

【摘要】：通过应用 Scharfetter- Gummel解法数值求解 Poisson方程 ,对经高强度光辐照过的a- Si/ μc- Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明 ,光生空穴俘获造成的 a- Si∶H(与μc- Si∶ H)中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高 a- Si∶ H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给 a- Si/μc- Si叠层结构中的 a- Si∶ H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生 a- Si/μc- Si叠层太阳能电池顶电池 (a- Si∶ H p- i- n)的光诱导性能衰退。a- Si/μc- Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系!合肥 230026 中国科学技术大学物理系!合肥 230026 中国科学技术大学物理系!合肥 230026
【关键词】： 氢化非晶硅光诱导性能衰退 空间电荷效应 氢化微晶硅隙态密度分布 Newton-Raphson解法
【基金】：安徽省自然科学基金资助项目!批准号 986 415 5 0
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1　引　　言1 976年第一支 a- Si∶ H太阳能电池问世开创了廉价、大面积、高效率 a- Si∶ H太阳能电池制造与应用的新时代。但人们很快就发现 ,在长期光的辐照下 ,a- Si∶ H太阳能电池性能如能量转换效率等发生衰退 ,影响其实际应用。长期以来 ,人们为了制造高稳定性 a- Si∶

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