奥地利微电子全新智能电池传感器参考设计

　　高性能模拟IC和传感器供应商奥地利微电子公司今天宣布推出一款适用于汽车的智能电池传感器（Intelligent Battery Sensor）参考设计，该参考设计基于奥地利微电子高精度的AS8515数据采集前端。

　　奥地利微电子的智能电池传感器（IBS）设计适用于监测最新磷酸铁锂汽车电池以及传统AGM（铅酸）电池的电量状况（SOC）以及电池安全状况（SOH）。IBS的测量前端采用AS8515,能精确、实时地测量电池的电流和电压、电路板的温度，并将这些数据输出为电子信号。测量数据由富士通ARM Cortex-M3微控制器进行处理，为任何类型的12V电池带来准确的读数。

　　具有完整文档且作为开发包中一部分的该参考设计现已提供，随时都可以投入生产，并可能被汽车生产厂商选用作为IBS系统的现成模板。与竞争对手提供的固定架构整合系统不同，奥地利微电子的参考设计允许使用者自由地选择微控制器。

奥地利微电子全新智能电池传感器参考设计

　　奥地利微电子IBS参考设计提供的软件演示了使用库伦计数方法如何进行SOC计算，并在电流负载变化超过5A时如何计算由此引起的电池阻抗。该软件能轻松地输出到任何开发者选择的微控制器，包括其他的ARM Cortex-M系列设备。

　　AS8515包含一个集成的LIN收发器以及能在汽车系统中作为LIN从属设备的IBS传感器模块。该参考设计包括一个含有LIN控制器和USB控制器的独立LIN主板，使开发者能通过奥地利微电子的图形用户界面（适用于Windows操作系统的电脑）控制并配置传感器模块。

　　IBS模块结合了奥地利微电子在高精度和高敏感度模拟电路方面的专业知识，能进行极其准确的电池测量：在整个信号范围内电流测量精度误差为±0.5%（标准情况）；在-40°C to +115°C的温度范围内，电压测量精度误差低于±0.1%（标准情况）。线性偏差低于0.01%.

奥地利微电子全新智能电池传感器参考设计

　　富士通MB9B520K微控制器内的高效ARM Cortex-M3内核帮助大幅降低能源消耗，在正常操作情况下，整个传感器模块仅消耗8mA,在电流监测模式的待机状况下仅消耗87μA.

　　奥地利微电子汽车业务部副总裁及总经理Bernd Gessner表示：“竞争对手的IBS系统为汽车生产商提供固定架构的系统，迫使他们只能使用集成在系统包中过时的微控制器。奥地利微电子的方案更具有优势是因为我们将传感器从微控制器中独立出来，使开发者在使用奥地利微电子备受肯定的测量前端的同时，能在其IBS设计中一直使用最新的微控制器。”