存储芯片 最新动态

国产半导体重大突破,长鑫存储DRAM芯片宣布投产最新消息,今天在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DR
2019-09-20
国产半导体重大突破,长鑫存储DRAM芯片宣布投产最新消息,今天在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DR
2019-09-20
存储芯片领域 中国迎来打破美日韩垄断关键一战紫光集团旗下长江存储近日宣布,已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存(3DNAND),容量为256Gb,以满足固态硬
2019-09-11
存储芯片领域 中国迎来打破美日韩垄断关键一战紫光集团旗下长江存储近日宣布,已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存(3DNAND),容量为256Gb,以满足固态硬
2019-09-11
未来4个月存储芯片市场预判作为半导体行业的三大支柱之一,存储器经过几十年循环往复的周期性发展,已经成长成为名副其实的电子行业的根源,甚至于有着决定一个行业生死的重要作用。眼下身处严
2019-08-20
未来4个月存储芯片市场预判作为半导体行业的三大支柱之一,存储器经过几十年循环往复的周期性发展,已经成长成为名副其实的电子行业的根源,甚至于有着决定一个行业生死的重要作用。眼下身处严
2019-08-20
AI芯天下丨紫光布局DRAM ,存储市场风云再起面对当下DRAM产业的垄断格局,全球九成以上的市场由三星、海力士、美光三大巨头垄断,中国目前的自给率几乎为零。近日,紫光集团宣布组建
2019-07-16
AI芯天下丨紫光布局DRAM ,存储市场风云再起面对当下DRAM产业的垄断格局,全球九成以上的市场由三星、海力士、美光三大巨头垄断,中国目前的自给率几乎为零。近日,紫光集团宣布组建
2019-07-16
中国突破了NAND和DRAM技术在早前长江存储宣布它已研发出64层NAND flash芯片之后,近日合肥长鑫也宣布已解决DRAM芯片的技术难题并已进入小规模生产,这意味着困扰中国制
2019-06-18
中国突破了NAND和DRAM技术在早前长江存储宣布它已研发出64层NAND flash芯片之后,近日合肥长鑫也宣布已解决DRAM芯片的技术难题并已进入小规模生产,这意味着困扰中国制
2019-06-18
三星半导体与Intel的差距将进一步扩大今年二季度即将结束,近日市调机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)发布分析报告估计DRAM和NAND Flash两种存储芯片
2019-06-04
三星半导体与Intel的差距将进一步扩大今年二季度即将结束,近日市调机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)发布分析报告估计DRAM和NAND Flash两种存储芯片
2019-06-04
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