微电子工业中化合物A作为半导体、液晶和薄膜太阳能电池等生产过程中的蚀刻剂．在对硅、氮化硅等材料进行

【专家解说】：①化合物A由两种元素组成，常温下是一种无色、无臭的气体，能助燃，分解成两种气体单质，同温同压下气体A相对于某常见黄绿色气态单质的相对密度为1，黄绿色气体为氯气，则A的相对分子质量为71；
③B、D的分子具有相同的电子总数，且均极易溶于水，D的水溶液显酸性常用来作玻璃雕刻的腐蚀液，则D为HF，B为NH3；
②化合物B与单质C在一定条件下反应生成化合物A及化合物D，常温下A、B、C、D均为气体，即NH3+C→A+HF，由元素守恒可知，C为F2，结合A的相对分子质量，可推知A为NF3；
④F2与水反应生成HF溶液及气体单质F为O2；而NF3与水反应则生成两种酸溶液及一种气态氧化物E（无色、有毒、难溶于水），则应生成HF、HNO3、NO，即E为NO，
（1）化合物B为NH3，结构式是，NH3溶于水并发生电离的过程为：NH3+H2ONH3?H2ONH4++OH-，
故答案为：； NH3+H2ONH3?H2ONH4++OH-；
（2）NF3分子中N为+3价，有较强氧化性，故气体A的应远离火种且与还原剂、易燃或可燃物等分开存放，
故答案为：NF3分子中N为+3价，有较强氧化性；
（3）以NF3对氮化硅（Si3N4）材料的蚀刻，被蚀刻物表面不留任何残留物，说明生成气体，故应生成氮气与四氟化硅，反应方程式为：4NF3+Si3N4=4N2↑+3SiF4↑，
故答案为：4NF3+Si3N4=4N2↑+3SiF4↑；
（4）④中生成的气态氧化物NO标况下为448mL，其物质的量=0.448L22.4L/mol=0.02mol，生成两种酸溶液中作为氧化产物的那种酸为硝酸，根据电子转移守恒，则生成硝酸的物质的量=0.02mol×(3?2)5?3=0.01mol，
故答案为：0.01mol；
（5）实验证明HF是一种弱电解质的方案为：向NaF溶液中加入酚酞，溶液呈红色，说明NaF溶液呈碱性，则HF为弱电解质，
故答案为：向NaF溶液中加入酚酞，溶液呈红色，说明NaF溶液呈碱性，则HF为弱电解质．