非晶硅薄膜太阳能电池制造中激光刻线的要求?
来源:江南娱乐-意甲尤文图斯亚
时间:2024-08-17 14:22:06
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非晶硅薄膜太阳能电池制造中激光刻线的要求?【专家解说】:第一道激光划线,也叫做P1,需要将TCO膜划断,既然是将导电薄膜划断,那么就需要划断后的电阻(万用表跨线测量即可)大,一般要
【专家解说】:第一道激光划线,也叫做P1,需要将TCO膜划断,既然是将导电薄膜划断,那么就需要划断后的电阻(万用表跨线测量即可)大,一般要求2兆欧。P2划硅层,不能破坏TCO层。P3划背电极及硅层,同样不能破坏TCO层。
三道激光划线需要平行度高,避免交叉;需要线宽线距小,以降低死区宽度;需要边缘平滑无毛刺,避免未划断造成短路;光斑重叠率要小,以提高加工效率。
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