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莆田出过那些名人

来源:江南娱乐-意甲尤文图斯亚
时间:2024-08-17 09:10:55
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莆田出过那些名人【专家解说】:据统计,莆田有两院院士14名(2名已故),在福建仅次与省会福州,按莆田市现有的300万人口来计算,每23万人就出了一名两院院士。
林兰

【专家解说】:据统计,莆田有两院院士14名(2名已故),在福建仅次与省会福州,按莆田市现有的300万人口来计算,每23万人就出了一名两院院士。        林兰英,半导体材料学家。1918年生,福建莆田县人。1940年毕业于协和大学,1955年获美国宾州大学固体物理学博士学位。1957年回国后历任中国科学院半导体研究所研究员,副所长,中国科协副主席,全国人大代表、常委,1980年当选为中国科学院院士。       林兰英从事半导体材料科学40余年,是中国半导体材料科学的奠基人和开拓者。她率先组织和领导了我国生长硅单晶、锑化铟、砷化镓和磷化镓单晶的研究,并首先获得了上述半导体单晶。为在我国率先研究半导体集成电路和光电子器件的单位提供了多种半导体单晶材料,并向全国推广上述单晶生长技术和相应的材料测试技术,为我国微电子学和光电子学的开创奠定了基础。参与组织领导4千位16千位大规模集成电路-MOS随机存储器的研制,1980、1982年两次获得中科院科技进步一等奖。她指导的高纯砷化镓液相外延和气相外延材料研究达到国际先进水平,其中高纯砷化镓气相外延研究至今仍然保持着采用卤化系统的国际最高水平。1981年获中科院科技进步一等奖,1985年获国家科技进步二等奖。1987年首次在世界上在微重力条件下从熔体中生长砷化镓单晶获得成功。以后又相继四次在我国返回式卫星上生长生长砷化镓单晶,在空间晶体生长、材料物理研究及器件应用等方面取得了许多令世界同行瞩目的科研成果。利用空间生长的半绝缘砷化镓制造的微波低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路的特性及优质品率显著提高。      1989年获中科院科技进步一等奖,1990年获国家科技进步三等奖,1996年获何梁何利科技进步奖,1998年获霍英东成就奖。         林秉南,水力学与河流动力学家,中国科学院院士。1920年4月21日出生于马来西亚,原籍福建省莆田市。1937年广州市立第一中学毕业,1942年交通大学唐山工学院土木系毕业,1947年美国艾奥瓦大学硕士研究生毕业,1951年在该校获博士学位。曾任艾奥瓦水利研究所副研究员及科罗拉多州立大学助理教授。曾为研究生讲授过明渠水力学,进级流体力学和泥沙运动。1956年回国,在中国科学院水工研究室任研究员。1958年起在中国水利水电科学研究院工作,1990年起任该院名誉院长、高级工程师。               黄维垣院士: 1921年12月15日出生于福建省莆田县,中共党员,研究员,博士生导师,中国科学院(化学部)院士。化学家。福建莆田人。 1943年毕业于福建协和大学化学系。1949年获岭南大学理学硕士学位。1952年获美国哈佛大学博士学位。中国科学院上海有机化学研究所研究员。早年从事甾体化学合成和中草药成份分离鉴定。60年代以后,从事硼氢高能燃料研究,创建有机氟化学实验室。研制了含氟润滑油脂、含氟聚合物等材料,为中国核能事业作出了重要贡献。研制新型的抑制铬雾剂, 为中国电镀行业提供了防止铬害的途径。研制的全氟碳代血液经数百例临床应用,居国际先进行列。发现氟化学中的亚磺化脱卤反应为适用性广泛的新反应。1986年以世界上公认的优秀氟化学家在法国巴黎获莫伊桑奖章。    1980年当选为中国科学院院士(学部委员)。        刘思职(1904年3月15日—1983年8月18日),出生于福建仙游。生物化学家、免疫化学家。1957年被选聘为中国科学院学部委员(院士)。1956年加入九三学社。    刘思职1904年3月15日出生于福建省仙游市一书香门第。父亲曾当过学堂教师和满清吏部小吏。刘思职自幼聪颖勤奋,学习成绩总是名列前茅。在家乡读完中学后,17岁即考入厦门大学化学系。1925年,得岳父相助,刘思职自费出国留学,入美国西南大学化学系,1926年毕业获理学士学位。同年,入堪萨斯大学学习物理化学,攻读博士,同时兼任该系助教,以其收入维持学习和生活费用。1929年以优异成绩通过博士论文答辩,取得博士学位。   
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