用X射线光电子能谱测定InP(100)清洁表面的原子浓度比

【摘要】：根据 XPS的强度测量和作者先前确定的原子灵敏度因子,测定了InP(100)表面的In/P原子比。实验结果表明氩离子轰击有择优溅射作用,在1keV刻蚀能量下,In/P浓度比为2.2,随氩离子能量增加而单调上升。样品在超高真空中300℃附近退火30分钟后,表面In/P比降为1.2,接近于体内化学计量比的值。从XPS强度的角度关系和In 3d_(5/2)结合能的化学位移中可以推测,离子轰击造成In—P化学键的破裂,在退火后又重新键合,使得表面成为有序结构,而最外层原子是富铟的。 【作者单位】： 复旦大学物理系 复旦大学物理系 复旦大学物理系
【关键词】： 清洁表面 氩离子刻蚀 原子浓度 X射线光电子能谱 原子比 择优溅射 原子层 近表面 原子灵敏度因子 x射线光电子能谱
【正文快照】： —L口 InP是一种在微波器件、光电器件和高速集成电路制造方面很有前途的半导体,其器件特性在很大程度上同材料的表面状况有关.从原子清洁表面出发,研究有金属覆盖或气体(如氧)吸附后发生的结构和电子态的变化,将是从根本上弄清MIs或Mtis界面特性的有效途径.在‘InP的三个低

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