晶体硅太阳能电池激光隔离pn结的研究

【摘要】：在晶体硅太阳能电池生产过程中,为了避免过低的填充因子,电池边缘多余的pn结必须去掉。首先利用激光温度场在硅材料中的分布,得出硅片在纳秒级脉冲激光作用下的融化峰值功率阈值。然后根据此阈值选择合适的激光器进行晶体硅太阳能电池激光隔离pn结的研究。通过激光隔离槽的3D形貌及测试太阳能电池的反向电流和并联电阻寻找最佳激光隔离的工艺参数。通过实验证明,纳秒级脉冲激光隔离能达到并超过化学隔离及等离子隔离的效果,为太阳能电池pn结隔离提供一种经济、环保的方案。 【作者单位】： 江南大学理学院;尚德电力控股有限公司;江苏省(尚德)光伏技术研究院;
【关键词】： 晶体硅太阳能电池 激光隔离 纳秒激光 并联电阻 漏电
【分类号】：TM914.41
【正文快照】： 0引言在晶体硅太阳能电池制造过程中使用的扩散方法不可避免地在电池边缘产生多余的pn结,电池边缘多余pn结如果不被去除,会导致填充因子过低,电池效率大幅下降。目前国内对于晶体硅太阳能电池边缘pn结隔离主要有两种方法:一种是等离子刻蚀,蚀刻气体如氟碳化合物、氟化的碳氢

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