溅射功率对铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层In_xS_y的影响

【摘要】：采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备In x S y缓冲层,溅射功率范围从30 W到100 W。通过能量色散X射线光谱仪、扫描电子显微镜和紫外分光光度计分别检测在不同溅射功率条件下制备的In x S y薄膜表面形貌、元素组成和光学特性。结果表明随着功率的增加,In x S y薄膜晶粒尺寸增加,硫元素含量比率增加并趋于平缓,光学禁带宽度先增加后减小。溅射功率为80 W时禁带宽度最大为2.75 eV,适合高效率In x S y/CIGS太阳能电池。 【作者单位】： 浙江大学信息与电子工程学系;
【关键词】： 射频磁控溅射 InxSy薄膜 光学禁带宽度 太阳能电池
【基金】：国家自然科学基金重点项目(60936002)
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： 目前实验室制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的效率已经达到20.3%,而电池中使用最多的缓冲层是采用化学水浴法制备的硫化镉(CdS)[1-2]。但由于镉有毒、能隙偏窄、制备工艺不匹配等因素的制约限制了其大规模应用,因此有必要寻找其他禁带宽度大于CdS(2.4 eV)的环保缓冲层材料。

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