1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计

【摘要】：使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.为在实验上较好地控制所需带隙,我们利用传输矩阵方法从理论上计算了实现1eV带隙下超晶格的周期数、垒层厚度以及In,N的浓度,并进一步讨论分析1eV带隙下的多个相关参数的对应关系以及超晶格的应变状态. 【作者单位】： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 中国科学院纳米器件与应用重点实验室;中国科学院大学;
【关键词】： GaNAs/InGaAs短周期超晶格 传输矩阵方法 太阳能电池 超晶格参数
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61274134) 苏州市国际合作项目(编号:SH201215)资助
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 四元化合物半导体GaInNAs自1996年被发展成一种非常适宜用作长波长(0.9-1.55m,能量为0.8-1.4eV)激光器的材料以来[1],人们就在这一波段探索其在半导体器件中的潜在应用.在太阳能电池方面,计算表明了利用带隙为1eV的子电池代替常规GaInP/GaAs/Ge三结电池中的Ge电池是提升电池

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