用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究

【摘要】：采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明,在硅烷浓度为5%时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性。作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92%的太阳电池。 【作者单位】： 河北工业大学信息工程学院;河北汉盛光电科技有限公司;
【关键词】： RF-PECVD 非晶硅薄膜 硅烷浓度 HIT太阳电池
【分类号】：O484.1
【正文快照】： 1引言HIT太阳电池既具有晶硅电池的高效特性又具有非晶硅薄膜电池的低成本特点,已经成为国内外光伏领域研究热点[1]。Sanyo公司近期在HIT太阳电池方面又有新的突破,在面积为101.8 cm2、厚度为98μm的n型单晶硅上制备出转换效率为24.7%(Voc=0.75 V,Isc=39.5 mA/cm2,FF=0.832)的

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