本征层为In_xGa_(1-x)N结构柔性太阳能电池研究

【摘要】：本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。由于本征层InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜具有可调禁带宽度,对该结构的太阳能电池起着巨大的作用,很大程度上提高了该结构太阳能电池的效率。 【作者单位】： 沈阳医学院基础数理教研室;沈阳工程学院新能源学院;
【关键词】： In_xGa;x)N;量子阱结构;透明导电薄膜;薄膜质量;柔性衬底;磁控溅射;禁带;沉积温度;氢化纳米晶硅;
【基金】：辽宁省教育厅科学研究一般项目(L2012374)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 柔性衬底薄膜太阳能电池是指在柔性材料即聚酰亚胺(PI)或柔性不锈钢上制作的薄膜太阳能电池,由于其具有携带轻便、重量轻以及不易粉碎的优势,以及独特的使用特性,从而具有广阔的市场竞争力。目前已经商业化应用的薄膜太阳能电池以基于玻璃衬底的非晶硅薄膜为主,其制作方法是:

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