界面态对ZnO/AlSb太阳能电池性能影响的模拟研究
界面态对ZnO/AlSb太阳能电池性能影响的模拟研究【摘要】:运用AMPS软件对n-ZnO/i-AlSb/p-AlSb异质结太阳能电池的性能进行模拟,针对n/i异质结界面态对电池填
【关键词】: AlSb 异质结 界面态 太阳电池 计算机模拟
【基金】:教育部“春晖计划”资助项目(Z2011071)
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: ZnO是一种宽禁带的直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.3 eV,属于六方铅锌矿结构,本征的ZnO薄膜具有很高的电阻率,但通过掺入Ⅲ族杂质(Ga,In,Al)后ZnO可转换为导电的薄膜[1]。掺Al氧化锌(ZAO)薄膜具有很低的电阻率和高的光透射率,载流子浓度达1020cm-3[2],宽带隙、高电导率、高透
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