4H-SiC(000(3×3)重构的原子能态

【摘要】：为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪),观察到4H-SiC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SiC(0001)(3×3)重构的角分辨X射线光电子能谱(XPS),得出该结构中Si2p和C1s的能态结构,进而发现SiC(0001)(3×3)重构面仅由硅原子形成,是在扭转的硅增层上的Si四聚物.通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱,得出表面Si2p态的漂移能量. 【作者单位】： 北京工商大学数理系;北京交通大学理学院;
【关键词】： H-SiC 重构 能态 LEED XPS 束缚能 能量漂移
【分类号】：O472.1
【正文快照】： 在高能和高温设备中,新技术的应用使得硅碳化合物成为广泛研究的材料.由于半导体SiC的能隙宽,在微电子、光电子领域得到广泛的应用,成为制作高温、腐蚀性条件下的快速电子器件的主体材料.SiC具有多种晶体结构,即闪锌矿3C多形体和六角nH多形体,在不同条件下,SiC具有不同的晶体

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