一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计
一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计【摘要】:该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对G
【关键词】: GaInAsN/GaAs量子阱 阱宽 垒厚 短路电流 伏安特性
【基金】:国家自然科学基金资助项目(61271127)
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 1引言太阳能作为一种清洁、无污染的新型能源越来越受到重视,其中薄膜类太阳能电池一直是研究的一个重点[16,18]。GaInAsN合金材料[14]是一种优秀的太阳能电池材料,Courel等人[1,12]的研究结果表明GaInAsN/GaAs量子阱生长于GaAs空间电荷区,可以增大太阳能电池的波长吸收范围,
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