太阳能电池用多晶硅材料少数载流子寿命的测试

【摘要】：采用高频光电导衰退法测试了太阳能电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命,细致分析了光注入强度对测试结果的影响。结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减,当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律,且随着光注入强度增大,少子寿命的测量结果显著减小。从非平衡载流子的表面复合效应和晶界复合效应出发,对导致该现象的物理机制进行深入解释。 【作者单位】： 国防科技大学;
【关键词】： 多晶硅 少子寿命 光电导衰退法 表面复合
【基金】：国家自然科学基金项目(51302316) 湖南省自然科学基金项目(13JJ4003) 国防科技大学科研计划项目(JC13-02-09)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 多晶硅是生产单晶硅的直接原料,也是一种极为重要的优良半导体材料,在半导体器件和太阳能电池方面有着很大的需求。多晶硅太阳电池具有成本低、可制成方形、方便组件排列等优点,近几年随着光伏产业的迅猛发展,太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅[1]。少数载

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