CIGS薄膜太阳能电池无镉缓冲层制备方法的研究现状

【摘要】：回顾了近年来CIGS薄膜太阳能电池无镉缓冲层的研究进展;着重介绍了In2S3,ZnS,Zn1-xMgxO三种可替代CdS缓冲层材料的常用制备方法及相关特性,并且对应给出了每种材料和方法获得的电池组件效率。展望了无镉缓冲层的发展前景,分析了化学水浴、原子层沉积、溅射三种缓冲层沉积技术各自在大规模工业化应用中的优劣势。认为溅射沉积技术是现阶段最理想的工业化制备技术,同时指出了无镉缓冲层在大规模工业化应用中亟需解决的问题。 【作者单位】： 复旦大学材料科学系;
【关键词】： 薄膜太阳电池 CIGS 缓冲层 化学水浴法 原子层沉积 溅射
【基金】：上海市教育委员会科研创新项目(11ZZ02) 教育部留学回国人员科研启动基金资助项目
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜对可见光吸收系数高,禁带宽度合适,被认为是最有前途的光电材料之一[1],吸引了越来越多的科学工作者从事相关方面的研究。传统的薄膜太阳能电池是SLG(钠钙玻璃)/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/AZO结构,其中CdS为缓冲层,采用CdS作为缓冲层具有以下优势:首先,CdS缓冲

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