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基于AAO纳米光栅的GaAs太阳能电池组合陷光结构设计与仿真

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 13:37:55
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基于AAO纳米光栅的GaAs太阳能电池组合陷光结构设计与仿真【摘要】:提出了一种新型的表面和底部都带有阳极氧化铝(AAO)纳米光栅的GaAs太阳能电池结构,理论分析了表面和底部陷光

【摘要】:提出了一种新型的表面和底部都带有阳极氧化铝(AAO)纳米光栅的GaAs太阳能电池结构,理论分析了表面和底部陷光作用的原理。利用FDTD Solution软件研究了短路电流密度(Jsc)和AAO几何参数的关系。结果表明,表面AAO和TiO2双减反层能很好的减少反射。背部AAO和Ag背反射可以有效的增大光程,从而减少电池厚度。带有组合陷光结构的电池可以在0°~45°范围内保持较稳定的Jsc数值。与只有减反层的结构相比,在相同Jsc条件下,组合陷光结构可以减少一半GaAs厚度。 【作者单位】: 天津工业大学理学院;
【关键词】GaAs太阳能电池 AAO 陷光结构 短路电流密度
【基金】:国家自然科学基金(61274064)
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: (Received 25 October 2014,accepted 15 January 2015)1引言与Si太阳能电池相比,Ga As太阳能电池以其具有抗辐射和高光电转换效率的特点而被广泛应用于通信和空间领域。因为Ga As是直接带隙半导体,几微米厚的吸收层就可以完全吸收入射光[1],所以常规的Ga As太阳能电池陷光结

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