能带不连续性对a-Si/c-Si(HIT)异质结构光伏特性的影响

【摘要】：本文报道了运用AMPS模拟程序对a-Si:H/c-Si HIT(heterojunction with an intrinsic thin layer)异质结太阳电池数值模拟结果。研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对光伏性能的影响,并与Tanaka M等的试验结果进行了比较。为了解a-Si/c-Si界面的能带补偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同Gall S等报道的试验结果也进行了比较。结果表明,只有在较小的导带补偿(～0.18eV)和较大的价带补偿(～0.5eV)时,其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合。 【作者单位】：中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所
【关键词】：a-Si/c-Si HIT 能带不连续性 数值模拟
【基金】：国家重点基础研究发展规划(973)资助项目(批准号:G2000028201)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1前言 a一Si/c-si HIT异质结太阳电池同时兼有非晶硅的低温、廉价和和晶体硅的高效稳定特点,近年来备受关注[l.2〕。然而,对这种异质结构的一些基础问题尚不十分清楚。例如:关于a一Si/c一Si界面的能带补偿就有各种不同的报道[s]。Cuniot和Marfaing仁‘]根据溅射a一51/e一51异

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