三氯乙烷在VLSI工艺中的应用

【摘要】：本文详细介绍了三氯乙烷(TRICHLOROETHANE,以下简称TCA)氧化机理和TCA流量的控制方法。详细报导了用TCA清洗石英炉管和栅氧化的工艺,并用C—V测试方法证明了此工艺可把可动电荷密度降到1.1×10~(21)cm~2以下。实验表明这种工艺在VLSI,尤其是大规模MOS集成电路制造工艺中,对提高栅氧化膜质量和保持石英炉管清洁度,是一种行之有效的方法。目前在我们从美国引进的集成电路生产线上,TCA用于MOS、双极集成电路和光电接收器件的氧化工艺中,取得了可喜的成果。 【作者单位】：
【关键词】： 三氯乙烷 可动电荷密度 平带电压漂移 三氯乙烷携带气体流量 挥发性氯化物 鼓泡瓶
【正文快照】： 一、引言随着计算机的迅速发展,对其内部所用的CPU、ROM、RAM等大规模集成电路的要求更加严格。相应地对大规模集成电路芯片制造工艺的要求也越来越高。现在为了满足计算机的大容量、超大容量的要求,集成电路的集成度越来越高,线条越来越细。实践表明传统的石英炉管清洗和热

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三氯乙烷在VLSI工艺中的应用    柳永勋;