晶体硅太阳能电池绒面的反应离子刻蚀制备研究

【摘要】：以SF6和O2为反应气体,采用反应离子刻蚀(RIE)技术,在单晶硅衬底表面制备了锥型绒面结构,系统地研究了关键刻蚀条件对RIE晶硅表面制绒的影响。结果表明,随着反应气压增大,晶体硅表面锥型结构呈现分布均匀和高度增加的趋势,但过高气压下锥型微结构向脊型转变直至消失。在反应气体中掺入CH4,晶体硅表面锥型结构高度增加,表面平均反射率下降到5.63%。该结果可解释为:气压增大导致的F原子刻蚀的增强有利于锥体结构高度增加,小尺寸的Si OyFx聚合物掩模的完全刻蚀使锥型结构的尺寸逐渐均匀,而过高的气压下,掩模及晶体硅的过量刻蚀导致微结构只剩锥体底部的脊型凸起。CH4掺入导致CHx聚合物的掩模和粒子轰击效应均有增强,更有利于高纵横比锥型微结构的形成。 【作者单位】： 河北大学物理科学与技术学院;
【关键词】： 反应离子刻蚀 锥型绒面结构 晶体硅 太阳能电池
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： (Received 10 November 2014)1引言传统太阳能电池生产工艺中湿法刻蚀产生的环境和水资源的污染以及化学废弃物的处理成本成为影响产业发展的重要问题[1-3]。为了解决这些问题,干法刻蚀工艺逐渐引起了人们的兴趣和关注。通过干法刻蚀,在晶体硅电池表面制备绒面结构,增加硅片表

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