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SiC单相光伏逆变器效率分析

来源:论文学术网
时间:2024-08-19 04:09:33
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SiC单相光伏逆变器效率分析【摘要】:SiC功率器件优异的性能引起了广泛关注,在光伏发电中应用研究也是当前的热点。对单相光伏逆变的主要结构以及常用的单相逆变器结构进行了综述,逆变器

【摘要】:SiC功率器件优异的性能引起了广泛关注,在光伏发电中应用研究也是当前的热点。对单相光伏逆变的主要结构以及常用的单相逆变器结构进行了综述,逆变器是光伏逆变器系统的核心环节,本文将SiC MOSFET应用于光伏逆变器中,研究SiC MOSFET对于逆变器效率提升的影响。 SiC MOSFET的特性与传统的Si MOSFET有很大的差别,而且常用于高速开关的场合,易出现误触发现象。根据SiC MOSFET的特性以及应用特点,在电路结构、电阻设计、驱动电压、可靠性设计等方面进行综合考虑,设计了SiC MOSFET驱动电路。 SiC MOSFET体二极管反向恢复特性优异,能够直接应用于全桥硬开关逆变器中,为了提升逆变器的功率密度,将SiC MOSFET全桥逆变器的开关频率提高至100kHz,对逆变器的主要参数进行了设计。器件工作于硬开关状态,根据电路的工作状态,进行了逆变器布局优化,以减小关键回路上的杂散电感;并分析了逆变器的效率,与基于Si MOSFET的20kHz H6逆变器进行了效率对比;同时将SiC MOSFET全桥逆变器的工作频率降低至20kHz,并进行了效率分析。最后搭建了实验平台,测试了相应的效率曲线,并进行了对比。 对100kHz的SiC MOSFET全桥逆变器的损耗进行了研究分析,找出影响其效率的主要因素。为了进一步提高逆变器的效率,根据逆变器的工作状态,在逆变器中采用了ZVS软开关技术。首先对软开关电路的工作过程进行了阐述,并进行了相关参数的设计;其次,根据电路的工作状态,对软开关逆变器的效率进行了分析,并与硬开关全桥逆变器的效率进行了对比。搭建了SiC MOSFET软开关逆变器实验平台,观察逆变器的工作波形,与理论分析进行对比,验证该软开关技术的合理性;测试逆变器的效率,在不同的功率下调整软开关的相关参数,使逆变器的效率最大化,并将软开关逆变器的实验效率曲线与硬开关的效率曲线进行对比。 【关键词】:SiC MOSFET 光伏逆变器 效率 软开关 损耗
【学位授予单位】:浙江大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2014
【分类号】:TM464
【目录】:
  • 摘要7-8
  • Abstract8-9
  • 目录9-11
  • 1. 绪论11-19
  • 1.1. 光伏发电的背景与意义11-12
  • 1.2. 单相光伏逆变器12-16
  • 1.2.1. 单相光伏逆变器结构12-14
  • 1.2.2. 单相逆变器拓扑14-16
  • 1.3. SIC器件特性概述16-17
  • 1.4. SIC逆变器研究情况17-18
  • 1.5. 本文的主要工作18-19
  • 2. SIC MOSFET驱动设计19-33
  • 2.1. SIC MOSFET驱动设计要点19-23
  • 2.1.1. SiCMOSFET特性19-22
  • 2.1.2. MOSFET误触发现象22-23
  • 2.2. SIC MOSFET驱动设计23-26
  • 2.2.1. 结构设计23
  • 2.2.2. 驱动电阻设计23-24
  • 2.2.3. 驱动电压设计24
  • 2.2.4. 可靠性设计24-26
  • 2.3. 驱动电路实验26-32
  • 2.3.1. 驱动原理电路26-27
  • 2.3.2. 驱动电路布局27
  • 2.3.3. 驱动测试27-32
  • 2.4. 小结32-33
  • 3. SIC MOSFET硬开关全桥逆变器33-56
  • 3.1. 硬开关全桥逆变器33-37
  • 3.1.1. 单相全桥逆变器33-34
  • 3.1.2. 调制方式34-37
  • 3.1.3. 硬开关全桥逆变器主要参数37
  • 3.2. SIC MOSFET硬开关全桥逆变器损耗分析37-45
  • 3.2.1. 体二极管损耗38
  • 3.2.2. MOSFET损耗38-40
  • 3.2.3. 输出滤波电感损耗40
  • 3.2.4. 提耗分析40-42
  • 3.2.5. 20kHz SiC MOSFET 全桥逆变器42-43
  • 3.2.6. 20kHz Si器件 H6逆变器43-45
  • 3.3. 主电路布局优化设计45-47
  • 3.3.1. 优化目标45-46
  • 3.3.2. 换流回路分析46
  • 3.3.3. 电路优化布局46-47
  • 3.4. 逆变器实验47-55
  • 3.4.1. SiC MOSFET和Si MOSFET对比48-50
  • 3.4.2. SiC逆变器电阻负载试验50-52
  • 3.4.3. SiC逆变器并网实验52-55
  • 3.5. 小结55-56
  • 4. SIC MOSFET软开关逆变器56-71
  • 4.1. 硬开关全桥逆变器的不足56-57
  • 4.2. ZVS逆变电路57-61
  • 4.2.1. 工作过程57-61
  • 4.3. ZVS逆变器损耗分析61-65
  • 4.3.1. 参数设计61-62
  • 4.3.2. 损耗分析62-65
  • 4.4. ZVS逆变器实验65-70
  • 4.4.1 驱动信号65-66
  • 4.4.2. 电阻负载实验66-70
  • 4.5. 小结70-71
  • 5. 总结与展望71-72
  • 附录一 装置实物照片72-73
  • 附录二 H6逆变器损耗模型73-74
  • 附录三 软开关逆变器辅助支路参数设计74-75
  • 参考文献75-78
  • 攻读硕士学位期间发表和录用的论文78-79
  • 致谢79


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