光伏型InSb红外探测器表面的阳极氧化

【摘要】：测量了阳极氧化InSb MOS结构的界面特性以及光照对经阳极氧化保护的光伏型InSb红外探测器性能的影响。实验指出,对于p-n结器件,光照使短路电流增加,器件阻抗的降低是由于光敏面扩大,而对于n~+-p结器件,短路电流不随光照变化,但I-V曲线出现了明显的软击穿,器件阻抗的降低来自于结区二边电子的隧道穿透。文章对器件性能蜕变的机制以及克服的方法进行了分析与讨论。 【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海技术物理研究所
【关键词】： 探测器性能 阳极氧化电流 阳极氧化膜 红外探测器 短路电流 光伏器件 器件性能 光照条件 光照变化 隧道穿透
【正文快照】： 一、引言 Insb光伏型红外探测瓶由于表面本身的特征及其对处理过程与外界环境的敏感性,使其电学及光电性能的稳定与提高受到很大影响。为此,器件表面的钝化成了一个十分重要的研究课题。 采用阳极氧化方法钝化Insb器件表面,由于它具有自身氧化,工艺简易,绝缘好,击穿电压高等

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