光伏碲镉汞探测器的模式探讨

【摘要】：正 1.引言光伏CMT器件的成结工艺有多种,我们采用组分偏离法曾获得优良的结特性,但工艺重演性差,物理机构复杂。本文打算对热处理过程作一理论探讨,从而对PN结模式分析提供依据。 【关键词】： 热处理条件 表面层 晶体表面 肖脱基缺陷 受主浓度 汞原子 电学性质 表面势垒 导电类型 施主浓度
【正文快照】： 81日!吉O二J.口二J 光伏C解了’器件的成结工艺有多种,我们采用组分偏离法曾获得优良的结特性,但工艺重演性差,物理机构复杂。本文打算对热处理过程作一理论探讨,从而对尸刀结模式分析提供依据。 CMT的电学性质,在三步热处理条件下,主要取决于组分与化学配比偏离所形成的热缺

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