GaAs/AlAs超晶格低温光伏特性

【摘要】：在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。 【作者单位】： 厦门大学物理学系 厦门大学物理学系 厦门大学物理学系
【关键词】： 超晶格 光伏谱 状态密度
【基金】：半导体超晶格国家重点实验室项目
【正文快照】： 半导体量子阱和超晶格结构为新一代半导体电子器件和光电子器件的开发与研究开辟了广阔的前景,近年来一直是半导体领域中最活跃的前沿课题.量子阱和超晶格量子效应的主要特征是产生了新的状态密度分布.由于势阱内的电子运动被势垒所限制,波函数在垂直势阱界面的方向上产生金

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