Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格光伏特性研究

【摘要】：采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释. 【作者单位】： 厦门大学物理系 厦门大学物理系
【关键词】： 光伏效应 应变层超晶格Ge_xSi_(-x)/Si 带间光跃迁
【基金】：复旦大学应用表面物理国家实验室资助
【正文快照】： 引言 近年来,随着si分子束外延技术的进展,制备高质量的Gexsi卜x/Si应变层超晶格已成为可能.GeS厂Si因其可以利用成熟的硅集成电路工艺,有着诱人的应用前景,正日益受到人们的重视.Ge和si之间晶格失配率达4.2%,应变使应变层的带隙大为降低[ll.当x0.5时,应变层带隙低于纯Ge的

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