硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究

【摘要】：本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流子复合过程中的行为,进而估算了金受主能级在hv=0.63eV光照下的光离化截面σ_i=6×10~(18)cm~2,及其对自由空穴的俘获截面σ_p=4×10~(15)cm~2. 【作者单位】： 厦门大学物理系
【关键词】： 硅 金受主能级 低温 动态光伏 统计方法
【基金】：国家自然科学基金
【正文快照】： 一前吉 、l咭劝刀曰 硅中金的受主和施主能级的行为多年来一直是最受重视而被广泛研究的课题之一然而,至今尚有诸如硅中金施主能级和受主能级是否属于同一杂质(或缺陷)的两个能级等一些重要特性未能统一认识.在文献〔1]中对于硅中此两能级的静态行为作过统计处理,得出金过补

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