lnP单晶特性的低温光伏研究

【摘要】：本文应用等光强方法,在0.75μm至带边的波段内对无掺杂的n型InP单晶(n_0=2×10~(16)cm~(-3))分别测量了298K、77.4K、50K、20K、13.7K下的光伏谱。在微机上完成拟合计算,确定了各有关参数在上述各温度下的各自不同数值,得出它们各自随温度变化的大体规律。进而提出了双施主-深陷阱模型,计算了双施主的能级位置和密度,说明了n_0～T的依从关系,并应用此模型,半定量地讨论了材料的寿命行为,从而探讨了复合机理。对S_p～T关系也作了定性讨论。 【作者单位】： 厦门大学物理系
【关键词】： InP单晶 低温光伏谱 特性机理 双施主-深陷阱模型
【基金】：国家科学基金
【正文快照】： 一、前 一飞一 日 InP材料是一种性能优越的化合物半导体材料.但对材料性质的系统研究,相对于其他材料,起步较晚.多数工作又是侧重于应用各种方法测定它的各种基本参数上,而系统地对材料性质的机理展开研究尚不多见. 本文试图通过测定材料在不同温度下的光伏谱,拟合确定各有

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