Si　NIPI　结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁

【摘要】：我们对不同光照条件下ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应进行了研究，并在正面光照时作了外加Ｈｅ－Ｎｅ激光连续照射前后的对比实验．结果表明，ＳｉＮＩＰＩ结构中存在Ｂｒｕｍ等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应，并且进一步从实验上证实了ＮＩＰＩ结构光伏极性是空间固定的．对外加激光连续照射前后结果的分析表明，ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应中，实空间中的间接跃迁如电子空穴子带间跃迁不起主要作用，而主要取决于实空间中与浅杂质有关的直接或准直接跃迁． 【作者单位】： 中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室
【关键词】： 光伏响应 光伏效应 超晶格 浅杂质 表面光伏 实空间 光生载流子 光子能量 连续照射 跃迁几率
【分类号】：O472.3
【正文快照】： Ｓｉ　ＮＩＰＩ结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁罗昌平，江德生，李锋，庄蔚华，李玉璋（超晶格和微结构国家重点实验室，中国科学院半导体研究所北京１０００８３）摘要我们对不同光照条件下ＳｉＮＩＰＩ结构的光伏效应进行了研究，并在正面光照时作了外加Ｈｅ

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