SnO_2／Si的光伏特性

【摘要】：采用ＣＶＤ方法在硅单晶上制备ＳｎＯ２薄膜，对不同硅衬底及在不同温度下淀积ＳｎＯ２制得ＳｎＯ２／Ｓｉ进行光电压谱的测量，得出最佳的制备温度；采用类金属半导体接触模型，推导出有关计算公式，计算得出其介面复合速度和异质结势垒宽度等参数。 【作者单位】： 厦门大学物理系 厦门集美航海学院物理室
【关键词】： 半导体材料 薄膜生长 异质结 光电压效应
【基金】：国家自然科学基金,福建省科学基金
【分类号】：TN301
【正文快照】： ＳｎＯ_２／Ｓｉ的光伏特性沈华（副教授）张万中，朱文章，蔡玉霜（厦门大学物理系，厦门３６１００５）摘要：采用ＣＶＤ方法在硅单晶上制备ＳｎＯ２薄膜，对不同硅衬底及在不同温度下淀积ＳｎＯ２制得ＳｎＯ２／Ｓｉ进行光电压谱的测量，得出最佳的制备温度；采用类金属半

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