硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C（B）／n-Si 异质结光伏特性

【摘要】：采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５—１０Ωｃｍ。俄歇（Ａｕｇｅｒ）电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜（ＳＥＭ）和激光喇曼（Ｒａｍａｎ）谱分析可知，薄膜以非晶为主，观察到许多线径为０．５—１．０μｍ的金刚石结晶微粒。制备成Ａｕ／Ｃ（Ｂ）／ｎ－Ｓｉ异质结，其开路电压Ｖｏｃ＝５８０ｍＶ，短路电流密度为６５０μＡｃｍ－２，获得暗Ｉ－Ｖ整流特性和光照Ｉ－Ｖ工作曲线。 【作者单位】： 安徽师范大学物理系 西安交通大学
【关键词】： 硼掺杂类金刚石薄膜 直流弧光PCVD Au／C（B）／Si异质结
【分类号】：TB43
【正文快照】： 硼离子掺杂类金刚石薄膜及Ｃ（Ｂ）／ｎ－Ｓｉ异质结光伏特性＊周之斌杜先智张亚增杨峰（安徽师范大学物理系，芜湖２４１０００）崔容强（西安交通大学，西安７１００４９）文摘：采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率

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