InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究

【摘要】：实验得到不同温度下应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的光伏谱，通过理论计算与实验结果的比较，对各谱峰进行了指认．本文着重考察各样品中１１Ｈ跃迁的激子谱峰的半宽随温度及阱宽的变化，讨论谱峰展宽机制中的声子关联、混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响． 【作者单位】： 厦门大学物理系
【关键词】： 应变量子阱 光伏谱 InGaAs/GaAs 单量子阱 峰展宽 激子线宽 非均匀展宽 锁相放大器 阱宽 低维半导体
【基金】：国家自然科学基金,福建省自然科学基金
【分类号】：O471.3,TN304.260.1
【正文快照】： １引言随着半导体材料薄层外延技术的发展，高质量的应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ半导体量子阱、超晶格材料在光电子器件的应用得到广泛的重视．用表面光伏谱方法研究量子阱、超晶格体系的光学性质无需制作样品电极、不破坏样品，可以避免意外沾污，对测量样品的尺寸及结构无

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