应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面

【摘要】：提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p 的新方法 .此法基于变温光伏测量 ,采用 (111) p型硅单晶 (NA =1.5× 10 16cm-3 )为实验样品 .由于表面势垒高度ΦBP =0 .5 75 6 V,表面复合速度 sn =4 .8× 10 3 cm . s-1以及表面态密度 Ds=6 .7× 10 11cm -2 . e V-1可由光伏方法测算 ,则表面态俘获截面σon ≈ 5× 10 -13 cm2 与σ-p ≈ 2× 10 -12 cm2 可通过应用Shockley- Read体复合理论于表面而被估算 .此结果与其它方法得到的有关报导的结果相一致 【作者单位】： 厦门大学物理学系 厦门大学物理学系
【关键词】： 表面态俘获截面 光伏方法 硅单晶 表面复合速度 表面态密度 光伏测量 表面势垒 福建厦门 非破坏性 新方法
【分类号】：O472.1
【正文快照】： 半导体单晶的表面态俘获截面 ,表面态密度及表面势垒高度都是影响器件 ,特别是表面器件电学性能的重要参数 .测量表面态密度与表面势垒高度的传统方法有 [1 ] 电流 -电压法、电容 -电压法以及光电方法等 .然而 ,这些方法均需制备具有金属 -半导体 ( MS)接触的 Schottky势垒结

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